静电对电子产品的危害

  • 2018-06-29 15:17 /
  • 作者:讯维

静电放电主要通过放电辐射、静电感应、电磁感应和传导耦合等途径危害电子设备。静电放电属于脉冲式干扰,它对电子电路的干扰一般取决于脉冲幅度、宽度及脉冲的能量。一些静电放电时带电电压或能量虽然不大,但由于在极短时间内起作用,其瞬间能量密度也会对期间和电路产生干扰和危害。

 
现代电子行业研发与生产过程中,大规模集成电路的应用愈加广泛。大规模集成电路具体积小、速度快的特点,正是由于其内部线路之间的间距短、面积小,但这必然以牺牲其耐压、耐流参数为昂贵代价。CMOS电路是集成电路中最常见的电路类型,其对静电极为敏感。特别是在越来越低的工作电压所设计的电路中,由于器件栅极氧化膜极薄,因而耐压界限很低,微小的电荷就能导致器件损坏。静电放电可是器件内部极间电容立即被充到高电压,使得氧化物遭到破坏,以致造成短路、开路、击穿和金属化层的熔融现象。

 
在电子元器件静电损害中,静电放电的损害往往只有10%造成电子元器件当时完全失效,通常表现为短路、开路以及参数的严重变化,超出其额定范围,器件完全丧失了其特定功能;而另外90%会潜伏下来,造成累积效应,一般情况下,一次ESD(静电释放)后不足以引起器件立即完全失效,但元器件内部会存在某种程度的轻微损伤,通常表现为参数有小的偏差或漂移,潜在失效并不明显,因为极易被人们忽视,若这种元器件继续带伤工作,随着ESD次数的增加,积累效应越来越明显,其损伤程度会逐渐加剧,最终必将导致失效。

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